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NCE50TD120BP

来源: 深圳市百域芯科技有限公司 发布时间:2021-07-10

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摘要:NCE50TD120BP_NCE4953A导读 作为驱动部分的开关管,MOS管的主要被关注点是耐压,耐流值以及开关速度。MOS管是电压驱动型器件,只要栅极G和源级S间给一个适当电压,源级S和D间导电通路就形成。 这就导致了IC行业分化为没有工厂只有设计和市场部门的FABLESS企业,和为其它企业代工生产的FAB公司。 NCE50TD120BP_NC
NCE50TD120BP_NCE4953A导读

作为驱动部分的开关管,MOS管的主要被关注点是耐压,耐流值以及开关速度。MOS管是电压驱动型器件,只要栅极G和源级S间给一个适当电压,源级S和D间导电通路就形成。

这就导致了IC行业分化为没有工厂只有设计和市场部门的FABLESS企业,和为其它企业代工生产的FAB公司。


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NCE2302B
NCE75TD120WT NCE50TD120BP NCE50TH120BP NCE50TD120BT NCE50TD120VT 。

NCE3404Y NCE3400A NCE3400 NCE30ND07AS NCE3008N 。

NCE2025I NCE2025S NCE2030K NCE2030U NCE2030 。

下文会介绍3306和NCE6080K两个MOS管具体参数、封装与规格书等。NCE6080K匹配KIA产品3306,KIA MOS管3306共有A和B两个规格书。


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NCEP0109AR
一般特征 ● V DS = 30V,I D = 95A R DS(ON) <5.1mΩ@ V GS = 10V R DS(ON) <8.5mΩ@ V GS = 5V ● 高密度电池设计,超低Rdson ● 全面表征雪崩电压和电流 ● 良好的稳定性和均匀性高? AS ● 出色的封装,散热效果好。

NCE6802 NCE30H29D NCEB301Q NCEB301Q NCEB301G 。

MOS管3306产品主要参数漏源极电压:60V 栅源电压:±25V 连续漏电流:80A/60A 脉冲漏电流:300A 雪崩电流:21.5A 雪崩能量:462.25MJ。

KIA半导体一直执行全面质量管理体系,是将所有产品质量从芯片设计开始,一直贯彻到客户使用的全过程质量跟踪和监控。

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NCE30TD120UT NCE40TD120UT NCE40TD120VT NCE30TD120BP NCE25TD120BT 。

锂电池主要由两大块构成,电芯和锂电池保护板PCM。

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