摘要：IPT026N10N5ATMA1
MOSFET TRENCH >=100V
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: HSOF-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 202 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.8 V
Qg-栅极电荷: 96 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 214 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 13 ns
正向跨导 - 最小值: 105 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 11 ns
工厂包装数量: 2000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 38 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
零件号别名: IPT026N10N5 SP003883420
单位重量: 771.020 mg
