摘要:优势渠道
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A(Ta),11A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
56 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
12 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
435 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2W(Ta),15W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DFN2020MD-6
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘
基本产品编号
BUK6D56