IRG4BC20K-SPBF供应商库存(更新时间:2024-06-01 18:33)
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IRG4BC20K-SPBF
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INFINEON
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终端可免费供样,支持BOM配单
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IRG4BC20K-SPBF
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IRG4BC20K-SPBF
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IRF
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只做进口原装,终端工厂免费送样
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易创佳业科技(深圳)有限公司
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IRG4BC20K-SPBF参数规格
功能描述:IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 8-25KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
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IRG4BC20FD
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IRF
英飞凌科技公司
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
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