IHW30N90R供应商库存(更新时间:2024-06-11 10:23)
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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深圳市赛能新源半导体有限公司
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深圳市恒意法电子有限公司
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深圳市正纳电子有限公司
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深圳市欧立现代科技有限公司
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深圳市华来深电子有限公司
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京海半导体(深圳)有限公司
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深圳市中联芯电子有限公司
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深圳市易讯博科技有限公司
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深圳市吉利鑫科技发展有限公司
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深圳市威尔健半导体有限公司
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IHW30N90R参数规格
功能描述:IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 900V 30A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
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