您好,欢迎来到97ic电子库存网!收藏本站
您所在的位置:首页型号索引第11073页IGB30N60T

IGB30N60T供应商库存(更新时间:2024-06-01 23:00)

IGB30N60T参数规格

功能描述:IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

IGB30N60T相关型号

IGB30N60T相关品牌

IGB30N60T相关新闻

IGBT管/模块 IKW75N65EL5 Infineon(英飞凌)

IGBT管/模块IKW75N65EL5TO-247-3Infineon(英飞凌)

发布时间:2023-06-06

IGD06N60TATMA1

IGD06N60TATMA1

发布时间:2023-03-31

IEB0112S3V3

IEB0112S3V3

发布时间:2023-02-13

IDW30G120C5BFKSA1

原装正品现货

发布时间:2022-05-16

IGBT 晶体管 Infineon / IR IRGP4660D-EPBF

IGBT晶体管600VUltraFastIGBT60A330W140nC

发布时间:2021-08-28

IFX54211MBV33HTSA1

IFX54211MBV33HTSA1

发布时间:2021-08-13