FD800R17KF6C_B2供应商库存(更新时间:2024-05-23 19:24)
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深圳市星佑电子有限公司
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华富测量(深圳)传感技术有限公司
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江苏芯钻时代电子科技有限公司
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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深圳市振鑫微电子科技有限公司
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深圳市博浩通科技有限公司
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深圳市宝隆宏业科技有限公司
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深圳市珩瑞科技有限公司
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深圳市和悦电子贸易有限公司
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FD800R17KF6C_B2参数规格
功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.7KV 1.3KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
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FCR684205T
发布时间:2023-10-17
FDB070AN06A0是一款功率MOSFET芯片,具有高功率密度、低导通电阻、快速开关速度、低漏电流和高温工作能力等特点。它适用于功率转换和控制的应用,如电源管理、电机驱动、逆变器和电动车辆等领域。
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FDB120N10
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