FD650R17IE4供应商库存(更新时间:2024-05-27 08:00)
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FD650R17IE4
英飞凌
1500
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FD650R17IE4
Infineon(英飞凌)
6000
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FD650R17IE4
INFINEON
2158
IGBT
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INFINEON
1000
MODULE
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深圳市赛美科科技有限公司
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原厂封装
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Infineon
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FD650R17IE4
Infineon Technologies
8000
原装
23+
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FD650R17IE4参数规格
功能描述:IGBT 模块 IGBT 1700V 650A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
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