FD400R33KF2C供应商库存(更新时间:2024-05-31 16:09)
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深圳市高捷芯城科技有限公司
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Infineon(英飞凌)
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司
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英飞凌
1500
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深圳市华博特电子有限公司
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INFINEON
2000
IHV130mm
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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Infineon
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瀚佳科技(深圳)有限公司
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INFINEON
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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Infineon
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深圳市安富世纪电子有限公司
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Infineon Technologies
8000
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深圳市一线半导体有限公司
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INF
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上海意淼电子科技有限公司
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欧派克
20000
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深圳市弘为电子有限公司
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深圳市珩瑞科技有限公司
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深圳市勤思达科技有限公司
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深圳市芯福林电子科技有限公司
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深圳市艾宇欣科技有限公司
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深圳市富芯乐电子科技有限公司
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FD400R33KF2C参数规格
功能描述:IGBT 晶体管 3300V 400A CHOPPER RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
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FDB070AN06A0是一款功率MOSFET芯片,具有高功率密度、低导通电阻、快速开关速度、低漏电流和高温工作能力等特点。它适用于功率转换和控制的应用,如电源管理、电机驱动、逆变器和电动车辆等领域。
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